吹留研究室では、単一原子レベルの材料をあつかい、これまでにない性能・信頼性のデバイスをつくる研究をしています。半導体やデバイスに興味がある方、実際に手を動かして装置を扱ってみたい方を歓迎します。
新しく配属される4年生に取り組んでもらいたい研究テーマ
1. Si基板上SiC薄膜成長とパワーデバイス応用
独自技術により、Si基板上に高品質なSiC薄膜を低温でエピタキシャル成長させます。成長機構を調べ、より低温・高品質・高速な成膜技術を開発し、省エネ・パワーデバイスへの応用を目指します。
2. SiC上エピタキシャルグラフェン形成過程
SiC基板やSi基板上に形成したSiC薄膜を加熱してグラフェンを形成します。成長機構を調べ、より高品質なグラフェン形成技術を開発します。
3. エピタキシャルグラフェンの電子・光学物性
グラフェン中の電子・光子の振る舞いを詳しく調べ、新しいデバイス開発を目指します。特にデバイス動作下での物性評価は、他にはない独自の評価技術です。
4. グラフェン電界効果トランジスタのプロセス開発と超高速デバイス
グラフェンを用いて、Siよりはるかに高速動作するトランジスタを作製します。必要なプロセス技術を一つひとつ開発し、ゲート長あたり世界最速級のグラフェンFETを実現しています。
5. SiC上エピタキシャルグラフェンとMEMS
SiC薄膜およびグラフェンを用いて微細電子機械（MEMS）を作製し、各種センサーへの応用を目指します。
6. 新しい二次元物質の電子・光学物性とデバイス応用
グラフェンに続く二次元物質が次々と発見されています。これらを用いたデバイス作製を通じて、次世代半導体材料としての可能性を探ります。
研究室でできること
- SiC・グラフェン・二次元物質といった最先端材料の作製と評価
- 放射光施設（SPring-8 等）での実験
- 国内外の学会での発表
1年の流れ
| 1月 | 新年会、研究室配属・歓迎会 |
| 2月 | スキー・スノボー旅行 |
| 3月 | 追いコン |
| 4月 | 花見・新歓 |
| 5月 | 4年生実験D |
| 7月 | 院試休み |
| 8月 | 院試 |
| 9月 | 院試お疲れ会 |
| 10月 | 芋煮会 |
| 11月 | 駅伝（他研究室との合同チーム） |
| 12月 | 冬季セミナー、忘年会 |
主な就職先
ローム、住友電工、東北電力、電源開発、東芝、富士通、パナソニック、アドバンテスト、シャープ、古河電工、小糸製作所、日本無線、サムスン、住友重機械工業、関西電力、半導体エネルギー研究所 、NTTデータ、弘前大学、ほか
見学について
研究室の見学はいつでも歓迎します。電気通信研究所 Global Connect Hub（GCH） G213A までお気軽にお越しください。詳しい場所は「アクセス」のページをご覧ください。