- 特別研究員奨励費
平成12年度
「溶液中におけるSi(111)表面の原子レベルの平坦化過程と表面構造制御」
研究経費額 1,200千円 - 若手研究（B）
平成20–平成22年度
「固液界面を反応場として用いた有機結晶成長の完全制御と電子デバイス」
研究経費額 4,200千円 - 基盤研究（C）
平成23–平成25年度
「基板微細加工を援用した選択的結晶成長によるグラフェンのナノ物性制御」
研究経費額 4,410千円 - 外国人特別研究員奨励費
平成26–平成28年度
「グラフェン技術を用いた次世代巨大磁気抵抗スピントロニクスデバイスの開発」
研究経費額 2,300千円 - 基盤研究(B)
平成27–平成29年度
「二次元原子薄膜の材料物性とデバイス特性を繋ぐオペランド顕微光電子分光」
研究経費額 16,900千円 - 挑戦的萌芽研究
平成27–平成28年度
「ウエハー接合を援用した高品質エピグラフェンと新原理に基づく高周波デバイス」
研究経費額 3,640千円 - 新学術領域研究（公募研究）
平成28–平成29年度
「単一分子の物性とデバイス特性のギャップを埋める時空間オペランドX線分光の開拓」
研究経費額 5,200千円 - 挑戦的研究（萌芽）
平成30–平成31年度
「生体分子反応における量子効果の直接観測を可能とする雰囲気制御・時間分解X線分光」
研究経費額 6,240千円 - 基盤研究(B)
平成31–令和3年度
「二次元電子系素子の界面電子状態の時空間変化の機構解明と素子特性向上」
研究経費額 17,940千円 - 基盤研究(A)
平成20–平成22年度
「有機半導体・完全単結晶の成長機構の解明と電子デバイスの応用」
分担（代表：板谷謹悟）
研究経費額 48,360千円 - 基盤研究(B)
平成21–平成23年度
「Si(110)表面のステップ挙動解明とSi上グラフェンナノリボンの自己組織的形成」
分担（代表：末光眞希）
研究経費額 19,360千円 - 基盤研究(B)
平成25–平成27年度
「グラフェンエレクトロニクスを加速するSi基板上エピグラフェンの革新的高品質化」
分担（代表：末光眞希）
研究経費額 16,120千円 - 基盤研究(S)
平成28–平成32年度
「二次元原子薄膜ヘテロ接合の複合量子物性とそのテラヘルツ光電子デバイス応用」
分担（代表：尾辻泰一）
研究経費額 144,600千円 - 挑戦的研究（萌芽）
平成29–平成30年度
「グラフェンデバイスの実用化を基礎づけるSiC単結晶上擬自立化グラフェン作製法の革新」
分担（代表：末光眞希）
研究経費額 6,240千円
（連携研究者分） - 特別推進研究
平成23–平成27年度
「グラフェンテラヘルツレーザーの創出」
連携（代表：尾辻泰一）
研究経費額 462,020千円 - フランス政府国費留学給付金
平成12年度
「シリコン表面電気化学に関する研究」
代表
研究費総額 1,800千円
（日本学術振興会特別研究員として採用されたため、後日辞退） - 戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE）重点領域型研究開発 フェーズI
平成30年度
「Beyond 5Gに向けたグラフェン/BN原子積層を用いた低環境負荷な超高周波トランジスタ研究開発 」
代表
研究経費額 3,185千円 - 戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE）重点領域型研究開発 フェーズII（選抜提案）
平成31年度
「Beyond 5Gに向けたグラフェンを用いた低環境負荷な超高周波トランジスタ研究開発 」
代表
研究経費額 10,140千円 - 情報通信研究機構―東北大学マッチングファンド
平成29年度
「THz帯動作の実現に向けたDual-gate型グラフェントランジスタの機構解明」
代表
研究経費額 1,600千円 - 低炭素社会を実現する革新的カーボンナノチューブ複合材料開発プロジェクト
平成25年度
「窒化物材料上グラフェンを活用したテラヘルツ帯デバイスの研究開発」
分担（代表：末光眞希）
研究経費額 25,600千円 - 低炭素社会を実現するナノ炭素材料実用化プロジェクト
平成26 –28年度
「ウエハー状大面積グラフェンを活用したテラヘルツ帯デバイスの実用化」
分担（代表：中林隆志（住友電工））
研究経費額 230,000千円 - JSPS-RFBR日露二国間交流事業
平成30–平成31年度
「テラヘルツ放射利得媒質としてのディラック分散則を有するナノ構造に関する研究」
分担（代表：尾辻泰一）
研究経費額 5,000千円 - 立松財団海外研究調査助成金
平成14年度
「単一分子レベルの分光研究のAVS国際会議口頭発表」
研究経費額 250千円 - 村田学術振興財団研究助成
平成24年度
「相対論的量子力学に立脚したグラフェンのナノスケール多機能化の確立」
研究経費額 1,500千円 - 信越化学委託研究費
平成25–26年度
「単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討」
研究経費額 2,500千円 - 信越化学委託研究費
平成26年度
「単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討」
研究経費額 2,500千円 - 信越化学委託研究費
平成26–27年度
「単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討」
研究経費額 2,500千円 - 信越化学委託研究費
平成27年度
「単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討」
研究経費額 2,500千円 - 信越化学委託研究費
平成27–28年度
「単結晶SiCを用いたハイブリッド基板のグラフェン化検討」
研究経費額 2,500千円 - 住友電気工業委託研究費
平成30年度
「グラフェンの基礎研究と応用探索」
研究経費額 3,000千円 - 住友電工グループ社会貢献基金
平成30-31年度
「動作しているデバイスの埋もれた層の電子状態観察法の確立と超高速デバイスへの応用」
研究経費額 1,200千円 - 住友電気工業委託研究費
平成31年度
「グラフェンの基礎研究と応用探索」
研究経費額 2,200千円
（分担者分） - 住友電気工業委託研究費
平成23年度
「グラフェンの基礎研究と応用探索」
分担（代表：末光眞希）
研究経費額 1,605千円 - 住友電気工業委託研究費
平成24年度
「グラフェンの基礎研究と応用探索」
分担（代表：末光眞希）
研究経費額 350千円 - 住友電気工業委託研究費
平成25年度
「グラフェンの基礎研究と応用探索」
分担（代表：末光眞希）
研究経費額 2,170千円 - 住友電気工業委託研究費
平成26年度
「グラフェンの基礎研究と応用探索」
分担（代表：末光眞希）
研究経費額 2,180千円 - 住友電気工業委託研究費
平成29年度
「グラフェンの基礎研究と応用探索」
分担（代表：末光眞希）
研究経費額 1,818千円
1. 科学研究費補助金
（代表者分）
（分担者分）
2. 科学研究費補助金以外の研究費
【国外】
【国内】
（総務省）
（情報通信研究機構）
（新エネルギー・産業技術総合開発機構）
（日本学術振興会）
（企業）
（代表者分）