| 1） | グラフェンで作り分け | 日刊工業新聞 | 平成23年11月 |
| 2） | グラフェンで電子素子 | 日経産業新聞 | 平成23年11月 |
| 3） | グラフェンの層数制御 | 日刊工業新聞 | 平成24年8月 |
| 4） | 平らなグラフェン成膜 | 日経産業新聞 | 平成24年8月 |
| 5） | グラフェンの精密成長技術 | 化学工業日報 | 平成24年8月 |
| 6） | ナノテク素材 平たんに成膜 | 日本経済新聞 | 平成24年8月 |
| 7） | グラフェンの精密成長技術 | 科学新聞 | 平成24年8月 |
| 8） | グラフェンデバイスの性能劣化原因とされる高抵抗領域の形成メカニズム解明 | 日刊工業新聞 | 平成25年5月 |
| 9） | グラフェン必要箇所だけ成長 | 日刊工業新聞 | 平成25年6月 |
| 10） | グラフェンで質量電子を直接観察 | サイエンスポータル | 平成26年4月 |
| 11） | グラフェン内の質量ゼロ電子を確認 | 財経新聞 | 平成26年4月 |
| 12） | グラフェンの研究に進捗 | 電子の重さゼロ | 平成26年5月 |
| 13） | グラフェン表面電位をピンポイント測定 | サイエンスポータル | 平成26年6月 |
| 14） | グラフェンとSiCの界面に潜む低エネルギーのフォノンを発見 | 日本経済新聞Web刊 | 平成29年10月 |
| 15） | 準結晶で電子質量ゼロ | 日刊工業新聞 | 令和1年10月 |
| 16） | GaN-HEMT、表面電子捕獲の時空間挙動を直接観測 | EETIMES | 令和2年11月 |
| 17） | 製造コストを削減できるグラフェン製造法を開発 | Yahoo! Japanニュース | 令和3年2月 |
| 18） | 製造コストを削減できるグラフェン製造法を開発 | EETIMES | 令和3年2月 |
| 19） | 6Gに不可欠なTHzトランジスタの商用化を可能にする | 電波タイムズ | 令和3年2月 |
| 20） | Beyond 5Gに不可欠なグラフェンの製造コストを100分の1以下に | 電波新聞 | 令和3年2月 |
| 21） | Beyond 5Gに不可欠なグラフェンの製造コストを100分の1以下に | DEMPA DIGITAL | 令和3年2月 |
| 22） | 東京理科大・岡山大・京大・東北大・筑波大、薄膜生成時の枝分かれ現象をトポロジー・物理・ＡＩの融合で解明 | 日本経済新聞 | 令和7年4月 |
| 23） | 東京理科大・岡山大・京大・東北大・筑波大、薄膜生成時の枝分かれ現象をトポロジー・物理・ＡＩの融合で解明 | 毎日新聞 | 令和7年4月 |
| 24） | 東京理科大・岡山大・京大・東北大・筑波大、薄膜生成時の枝分かれ現象をトポロジー・物理・ＡＩの融合で解明 | PRTIMES | 令和7年4月 |